安世车规级MOSFET产品组合答疑回顾

  在直播中，我们收到了大家的热情回应。在此我们精选了一些比较有代表性的提问在这里与大家分享。

  除了常规车规级 MOSFET，还有专用型的器件，比如增强型 SOA，重复雪崩，半桥结构等;封装上有高可靠性的鸥翼 LFPAK 系列，也有小型化的 DFN 封装系列;晶圆结构上也有持续的创新。

  可优化传统液压刹车系统，反应速度更灵敏，功能更多样化，比如线控刹车系统，可以与智能电子辅助系统相结合，动能回收，车身稳定系统，防抱死系统等。

  安世半导体的 LFPAK 封装采用全铜夹工艺，在过流能力和散热上面都有优势，现有 LFPAK88, LFPAK56(E), LFPAK56D, LFPAK33 等多种尺寸，都和主流 MOS 厂家有兼容封装，LFPAK56(E)和 LFPAK33 这两种封装的兼容性最强，安世提供通用的 footprint 布局可兼容绝大多数友商的同尺寸封装。

  4我的实际应用条件和规格书上的参数设定条件不一致，若选择MOSFET的规格?比如环境温度85度时对应的参数?

  可以参看安世半导体的应用手册 AN11158，可通过相应公式计算或者曲线降额得到对应的参数。另外，特别推荐使用安世最新的交互式数据手册，可以直接调整 condition 温度等参数，直接获得您想要的数值。

  5从规格书上来看，安世半导体MOSFET的电流能力很强，但实际应用中如何评估器件的热阻与PCB板上的电流能力?

  在实际应用中，需要考虑到 PCB 的散热及过电流能力，稳态工作情况下，MOSFET 的结温与 PCB 焊盘的温度较接近(器件内部热阻值 Rthjmb 很小)，这样一个时间段限制温度的是 PCB 的耐温，且外部热阻 Rthmb-a—PCB焊盘到环境的热阻值一般远大于 Rthjmb，所以稳态功耗和对应电流由 PCB 布局及散热器设计限定。而瞬态功耗一般发生时间比较短，又由于 PCB 的热容效应，小于 100ms 的瞬态功耗可以只考虑器件本身的热阻 Rthjmb 的温升及电流能力。

  6MOSFET 发生 EOS 的失效模式有哪些?如何区分是什么原因失效的?

  7请问MOS器件在驱动感性负载情况下，有进入雪崩应用的问题如何计算分析?

  Nexperia(安世半导体)总部位于荷兰，是一家在欧洲拥有丰富悠久发展历史的全球性半导体公司，目前在欧洲、亚洲和美国共有15,000多名员工。作为基础半导体器件开发和生产的领跑者，Nexperia(安世半导体)的器件被大范围的应用于汽车、工业、移动和消费等多个应用领域，几乎为世界上所有电子设计的基本功能提供支持。

  Nexperia(安世半导体)为全球客户提供服务，每年的产品出货量超过1,000亿件。这一些产品在效率(如工艺、尺寸、功率及性能)方面成为行业基准，获得广泛认可。Nexperia(安世半导体)拥有丰富的IP产品组合和持续扩充的产品范围，并获得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001标准认证，充足表现了公司对创新、高效、可持续发展和满足行业严苛要求的坚定承诺。

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