传统IGBT可靠性测试急需变革

  据Yole Developpement市场调查公司2013年报告，2014年IGBT市场总值将达到43亿美元，比2013年的39亿美元多出40亿美元。而从2011~2018年走势可见，主要驱动力是电动汽车/混合动力(EV/HEV)汽车(如图1)。同时，铁路牵引、可再次生产的能源发电等需要慢慢的升高的可靠性。 可靠性成为功率电力电子器件的关键指标。

  IGBT等大功率的电力电子器件常常要大电流，例如地铁需要8A，新能源汽车需要600A，风能需要1500A及以上。同时电力电子器件的可靠性最重要，例如机车牵引的期望寿命超过三十年，功率器件通常需上万次甚至百万次的功率循环要求，为对新型IGBT等电力子电子器件的可靠性提出了巨大的挑战。

  “由于功率循环和热量导致与热相关的器件老化降级，轻易造成焊线老化降级，金属层错位，焊接失效，硅芯片和基板的分层等问题。”Mentor Graphics公司负责半导体器件热特性评估和热阻测试仪器的市场开发总监John Isaac指出。因此就需要在IGBT及模块研制和生产时，采用更精密的实验设备对电力电子器件进行测试。

  Mentor Graphics的MicReD1500A功率循环测试设备利用MicReD经业界验证的T3Ster瞬态热测试技术，达到了实验室级的精度，具有高准确性。由于独特的结构函数功能，具有实时诊断器件的降级过程和失效原因，因此失效故障分析精准，并可缩短总的测试时间，只需原来测试时间的1/10及以下。由于加热电流达到1500A，并采用3通道的电流结构，因此能在同一台设备上进行更多的样品测试。

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  一、产品介绍基于国内外新能源行业发展形态趋势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiCMOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiCMOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。金升阳致力于为客户提供更优质的电源解决方案，基于自主电路平台、IC平台、工艺平台，升级

  在构建以新能源为主体的新型电力系统的逐步推进下，数智化与减碳化两大趋势的交集出现了芯片新的应用突破口，光伏储能作为近些年增速最快的可再次生产的能源细分领域，为半导体产业带来了新的机遇和挑战。芯片的“新”战场2023年上半年，中国的新能源市场迎来历史性时刻：全国可再次生产的能源装机突破13亿千瓦，达

  北极星储能网获悉，9月19日，核工业第八研究所-IGBT功率组件（储能变流器）和飞轮储能系统询价采购。要求IGBT的参数为：1）额定功率：不小于200kW。2）效率：在额定运行条件下，储能变流器的整流效率和逆变效率均应不低于97%。3）损耗：储能变流器的待机损耗应不超过额定功率的0.3%，空载损耗应不超过

  云山苍苍，碧水泱泱。一条长约13.6千米的输电通道横贯富春江东西两岸，连通杭州亚运会富阳、萧山两大保电主战区。这是我国首个220千伏柔性低频输电工程，也是当前国际上电压等级最高、输送容量最大的柔性低频输电工程。9月10日下午，记者前往220千伏亭山低频换流站，探访这项全球最先进的低频输电工程

  北极星储能网获悉，9月6日，中国电气装备集团储能IGBT集采开标共有5家企业成为成交商分别是北京锐讯驰电子技术有限公司、青岛云集控制技术有限公司、杭州中格芯电子科技有限公司、南瑞联研半导体有限责任公司、赛晶亚太半导体科技（浙江）有限公司。在储能IGBT集采中，标包1、标包4未公布成交人，标包1

  北极星储能网获悉，7月28日，中国电气装备集团发布储能电池、及储能IGBT集中采购公告，其中储能电池pack需求共4.3GWh，包括许继集团3.5GWh、平高集团0.8GWh；电池舱需求合计1.3GWh，中国西电0.1GWh、平高0.2GWh、山东电工1GWh。储能IGBT方面需求来自许继电力电子，共设置7个标包，分别采购来自英飞凌、

  北极星氢能网获悉，近日，由中车株洲所旗下时代电气研制的4套大功率IGBT制氢电源设备，运抵内蒙古鄂尔多斯市准格尔旗，将交付三峡集团纳日松40万千瓦光伏制氢项目。据悉，制氢电源技术，是把电力变换电子装置搭配电解槽一起，将可再次生产的能源如风电、太阳能、核能等转换成氢气。而中车时代电气研制的IGBT

  5月22日,中车时代电气为三峡集团鄂尔多斯纳日松40万千瓦光伏制氢示范项目提供的首批大功率IGBT制氢电源设备顺利发货。这是继4月份完成4套PEM电解槽用IGBT全控制氢电源交付后公司按计划出厂的4套碱性电解槽用5MWIGBT制氢电源。该项目为国内首个批量应用大功率IGBT电源技术的绿电制氢项目，也是中车时代

  直流输电技术全国重点实验室围绕“双碳”目标实现和新型能源体系建设，聚焦国家重大战略需求，提出直流输电与新能源主动构网新概念、广域电力电子设备构网系统新原理、高比例新能源多直流复杂电网结构形态与运行控制新方法，突破关键核心技术，为实现重大工程应用、保障国家能源安全提供科技支撑。实验

  北极星储能网获悉，澄天伟业近期接受投资者调研时称，近年来，公司管理层积极落实功率半导体研发、设计和销售，商品市场定位为新能源汽车、光伏逆变器、储能等应用场景，实现公司多层次收入。报告期内公司已完成部分MOSFET、IGBT等功率半导体方面的研发，并已为终端应用企业送样测试。

  北极星储能网获悉，日前，西安咸阳国际机场新建成的西北首座IGBT超级充电站已正式投运。据悉，该充电站于2022年3月开工建设，共建设8台IGBT终端，能同时为16台充电车辆服务，总功率960kW，年均替代电量预计达185万千瓦时，每年将减少碳排放量约3330吨。采用大功率充电技术，对电网影响小，电耗低，转换

  目前，我国IGBT行业竞争群组分为三类，中高端产品被欧美、日韩占据，国内企业占据中低端IGBT产品少部分市场占有率。我国IGBT行业进口产品主要是日本和欧美品牌，主要的品牌有英飞凌、三菱、FUJI、ABB、IR、东芝(IGBT已与三菱合并)、飞兆等，欧美品牌的产品主要用在电力电子和通讯行业，而日本的品牌主要

  近日，科技部高新司在厦门组织召开了十二五国家863计划基于国产宽禁带电力电子器件的光伏逆变器研制及示范应用项目验收会。项目以实现碳化硅和氮化镓光伏逆变器的示范应用为最终目标，开发了低缺陷SiC外延生长技术、攻克了氮化镓二极管及增强型氮化镓三极管设计技术、碳化硅二级管及MOSFET关键工艺和量

  导读：电力电子器件及电力电子技术在现代电网的发展中发挥着很重要的作用。从电力电网的发展史来看,几乎都是以电力电子器件的发展过程作为基础。本文从电力系统用电力电子器件方面出发,分析了电力系统用电力电子器件需求、现状及不足等。详细内容如下：[$NewPage$][$NewPage$]延伸阅读：电力系统知识

  1引言变频技术是应交流电机无级调速的需要而诞生的。20世纪60年代以后，电力电子器件经历了SCR(晶闸管)、GTO(门极可关断晶闸管)、BJT(双极型功率晶体管)、MOSFET(金属氧化物场效应管)、SIT(静电感应晶体管)、SITH(静电感应晶闸管)、MGT(MOS控制晶体管)、MCT(MOS控制晶闸管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)

  国务院日前印发《中国制造2025》规划。规划力争通过三步走来实现战略目标。第一步：力争用十年时间，迈入制造强国行列。第二步：到2035年，我国制造业整体达到世界制造强国阵营中等水平。第三步：新中国成立一百周年时，制造业大国地位更加巩固，总实力进入世界制造强国前列。延伸阅读;人机一体化智能系统亟待

  一、前言我国研究半导体器件起始于上世纪60年代，水平与国外基本同步，文革10年让我们与国外拉下较大距离，随着改革开放的步伐，这种差距才逐步得以改善。90年代末期，三峡输变电工程给我国电力半导体器件技术发展提供了机遇;继而，依托特高压直流输电工程的支撑，持续不断地自主创新，使高压器件制造技术达到目前国际领先水平，提升了整个电力电子行业的技术进步，引领应用技术迈向新的台阶。二、三峡输电工程赋予超大功率电力半导体器件新的发展机遇二十世纪末(1998年)，举世瞩目的三峡水电站即将建成，国务院三峡办会同有关部委并组织专家进行调研和充分论证，结合国内设备制造厂家的

  毫无疑问，我们已走进“微”时代，无论是政策，还是资本，抑或是技术、市场和营销。在这个客户真正的需求慢慢的升高，市场之间的竞争越来越激烈，技术变化慢慢的变快，融资越来越难的“微”时代，变频器产业如何抉择与突围?微刺激：首先从政策层面上，政府砸四万亿救市的时代一去不返，在“微刺激”时代，如何审时度势，危中寻机，搭乘新政府新一轮变革的“高铁”，需要智慧，亦需要积累。微利：众所周知，变频器标准化产品已进入微利时代，是着力长尾市场，还是聚焦行业深耕，抑或走向工业自动化解决方案供应商，

  仟亿达变频器节能改造产业经历大约30年的研发与应用实践，随着新型电力电子器件和高性能微处理器的应用和控制技术的发展，变频器的性能价格比慢慢的升高，体积越来越小，而厂家仍然在不断地提高可靠性实现变频器的进一步小型轻量化、高性能化和多功能化以及无公害化而做着新的努力。仟亿达变频器节约能源改造性能的优劣，一要看其输出交流电压的谐波对电机的影响，二要看对电网的谐波污染和输入功率因数，三要看本身的能量损耗(即效率)如何?这里仅以量大面广的交—直—交变频器为例，阐述它的发展的新趋势：1、主电路功率开关元件的自关断化、模块化、集成化、智能化，开关频率

  五月初，我国首条8英寸IGBT芯片生产线在株洲正式投产。IGBT，学名绝缘栅双极晶体管，是全球最为先进的第三代主流功率半导体器件之一。在电能系统，其地位相当于计算机世界中的“CPU”。当前我国IGBT产品整体发展处于起步阶段，株洲所是我国唯一全面掌握IGBT从芯片设计—模块封装—组件—应用全套技术的企业，也是唯一建立了1200伏及以上高等级功率IGBT技术及模块技术完善的产品体系的企业。这，不仅得益于企业50年大功率半导体器件研制的历史积淀，更归功于它跨越大功率半导体国产化“三部曲

  一、前言我国研究半导体器件起始于上世纪60年代，水平与国外基本同步，文革10年让我们与国外拉下较大距离，随着改革开放的步伐，这种差距才逐步得以改善。90年代末期，三峡输变电工程给我国电力半导体器件技术发展提供了机遇;继而，依托特高压直流输电工程的支撑，持续不断地自主创新，使高压器件制造技术达到目前国际领先水平，提升了整个电力电子行业的技术进步，引领应用技术迈向新的台阶。二、三峡输电工程赋予超大功率电力半导体器件新的发展机遇二十世纪末(1998年)，举世瞩目的三峡水电站即将建成，国务院三峡办会同有关部委并组织专家进行调研和充分论证，结合国内设备制造厂家的