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FinFET工艺之self-heating概念介绍

来源：www.kaiyun    发布时间：2023-12-07 19:30:08
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  当做到FinFET工艺时才了解到这个名词，在平面工艺时都没有触摸SHE（self-heating effect）这个概念。为什么到FinFET下开端必需要分外留意SHE的影响了呢？下面参阅一些资料总结一下共享，如有不精确的地方请帮纠正。

  SHE：自发热效应(self-heating effect)，由于MOS底部和周边都是用Oxide阻隔，而oxide的导热性欠好，所以载流子磕碰发生的热量被集合在well里，会减小载流子寿数。在Id-Vd特性曲线里饱满区曲线会稍微下降，而不是轻轻上升。

  FinFET器材几许结构的引进大大改变了从沟道功耗到环境的热阻途径。鳍栅结构让热量更难散失。工艺越小，温升就越显着。网上找个图如下

  SHE的影响加重了信号电源金属电搬迁可靠性毛病。由于FinFET的热概括会影响金属互连邻域的温度，温度的升高直接会影响到金属的EM才能，然后加快了EM毛病率概率。

  举个比如：一个高频时钟若运用STD 为16X的BUF，EM的仿线X BUF周围EM 会很严重，一起还能看到这部分的SHE影响也是很严重。由于高频时钟抽拉电流比较厉害了，加上运用单个较大BUF时部分温升进一步提高，加重了EM的问题。

  引荐源端连接到guardring要尽或许的短，源漏上运用叠层金属，减小水平方向的电流，让水平方向的电流尽或许放在2x厚金属上。

 

 


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